技術應用

為何晶圓厚度、Warp 、Bow、TTV如此重要～

•研磨/拋光製程 晶圓研磨前會將膠膜貼在研磨晶圓的背面，進行一般研磨 (Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding)

•晶圓研磨主要是在晶圓背面研磨使厚度控制在規格內，拋光目的在於提高晶圓平坦度，讓微粒不易附著，太厚或太薄都會影響後面的製程。

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晶圓的關鍵製程參數(厚度、Warp、Bow、TTV)一次量測～

•研磨及拋光製程決定晶圓最終厚度及表面粗糙度，晶圓平整度不佳影響後續製程的良率，藉由厚度量測設備，將整片晶圓的關鍵製程參數(厚度、Warp 、Bow、TTV)一次量測，亦可以回溯量測數據來釐清異常原因。

❏薄膜電容如何評測好壞?

1. 先人工檢查外觀。首先看薄膜電容的外觀，有沒有氣泡、包封不完整、有毛刺、電容芯子外露的現象。
2. 薄膜電容器的電性測試、高溫老化測試。
3. 出廠前人工抽檢。

❏常見的問題是:

雖然現在有AI可以檢測產品的外觀，但薄膜電容型號繁多，AI檢查產品外觀會有誤判情況，人工檢查還是主要方法。

※外觀OK不代表品質沒問題！

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❏如何量測電容的開路、短路或漏電流超大的不良品？

❖四點探針量測系統:

產品在測試夾上充電60秒後進行漏電流性能測試，測試結果分為: 良品、低容量、高容量、損耗角大、漏電流大和重檢品。

❖設備亮點：

•方便易上手、直覺化的軟體操作介面。
•精密量測待測物之薄膜電阻。
•定電流量測。
•可選擇單點量測或多點掃瞄。